研发工程师（磨抛）
1、本科及以上学历，专业要求材料、机械、物理、微电子、化工或其他半导体相关专业；
2、具有1年以上的硬脆材料的研磨抛光（MP、CMP和减薄）工作经验；
3、有半导体薄膜沉积（PVD/CVD）或反应离子刻蚀(RIE)经验优先。

研发工程师（检测）
1、本科及以上学历，专业要求材料、机械、物理、微电子、化工或其他半导体相关专业；
2、具有1年以上的化合物半导体晶片的检测工作经验；
3、有使用二次离子质谱（SIMS）分析薄膜层的掺杂浓度与均匀性或使用X射线衍射（XRD）评估剥离后的晶圆表面质量与缺陷的经验优先。

研发工程师（清洗）
1、大专及以上学历，专业要求材料、机械、物理、微电子、化工或其他半导体相关专业；
2、具有1年以上的化合物半导体晶片的清洗工作经验；
3、有碳化硅衬底或外延片的清洗工作经验优先。
岗位内容：
1、 针对碳化硅材料运用领域研究；
2、 负责碳化硅外延生长技术（包括晶体生长、CVD薄膜生长）的研发与工艺改进，优化现场作业流程，提升生产效率与产品质量；
3、研究碳化硅芯片/器件在上下游产业链中的应用，分析客户需求与行业动态，推动产品与市场需求的精准匹配；
4、主导碳化硅外延工艺研发，负责外延设备的日常维护、Recipe参数设定与优化，确保工艺稳定性和设备高效运行；
5、通过工艺优化与流程改进，持续提升产品良率及成品率，降低生产成本；
6、研究并引入外延工艺新技术，主导新产品试制及新工艺的量产导入；
7、负责碳化硅外延生产计划的制定与执行，优化生产时序安排，解决工艺异常问题；
8、跟踪外延片性能数据，进行分析与改善，形成标准化报告。

岗位要求：
研发工程师
1、本科及以上学历，专业要求材料、机械、物理、微电子、化工或其他半导体相关专业；
2、具有1年以上的半导体材料加工、晶圆室温键合或临时键合工艺相关经验；
3、熟悉离子注入(Ion Implantation)或晶圆剥离(Wafer Exfoliation)技术；
4、有碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)等宽禁带半导体材料制备或键合经验者优先；
5、有离子注入工艺模拟软件（如SRIM、 Sentaurus）使用经验优先；
6、熟悉中试线或量产线工艺流程者优先。